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IRF5305 P-KANAL Leistungs MOSFET TO-220 55V | Infineon IRF5305PBF

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Infineon IRF5305 P-KANAL Leistungs-MOSFET TO-220 für die Durchsteckmontage, Hersteller Artikelnummer IRF5305PBF

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  • Infineon IRF5305 P-KANAL Leistungs-MOSFET TO-220 für die Durchsteckmontage, Hersteller Artikelnummer IRF5305PBF
  • IRF5305 P-KANAL Leistungs MOSFET TO-220, 55V, Infineon IRF5305PBF

Details

Infineon IRF5305 P-KANAL Leistungs-MOSFET TO-220 für die Durchsteckmontage. Hersteller Artikelnummer IRF5305PBF.

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen On-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Bauelementen, für die HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein extrem effizientes und und zuverlässiges Gerät für eine Vielzahl von Anwendungen. Das TO-220-Gehäuse wird universell für alle kommerziell-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung bis etwa 50 Watt bevorzugt eingesetzt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.

- Gehäusetyp: TO-220AB
- Hersteller: VISHAY ehemals International Rectifier
- Polarität: P-Kanal
- Anschlussart: Durchsteckmontage
- ROHS-konform: ja
- Spannung (Vce): 55 V
- Max. Betriebsspannung: 55 V
- Leistungsaufnahme: 110 W
- Max. Stromstärke: 31 A
- Max. Temperatur: 175 °C

IRF5305 P-KANAL MOSFET TO-220

Zusatzinformation

Gewicht 0.002
Originalnummer des Hersteller IRF5305PBF
EAN / UPC 4251132856195
Kompatible Marke Infineon

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